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某收发多功能芯片开裂失效分析
某收发多功能芯片开裂失效分析
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NETL
NSTL
万方数据
中文摘要：
本文对某型T/R组件的收发多功能芯片开裂失效进行分析,利用ANSYS workbench对T/R组件进行振动应力分析及热应力分析,并分析了安装应力,认为芯片产生开裂失效的主要原因为温度冲击试验中芯片的热应力.提出改进方案,对改进方案进行热应力分析,并进行了实验验证,样件功能正常,验证了改进方案的可行及有效.
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作者：
仲成
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作者单位：
610074 成都西科微波通讯有限公司 四川 成都
关键词：
T/R组件
GaAs
芯片开裂
热应力
出版年：
2019
数字化用户
数字化用户
ISSN：
年,卷(期)：
2019.
(19)
参考文献量
4
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