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硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法
硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法
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中文摘要：
在此次研究中,研究的重点集中于深反应离子刻蚀工艺,通过研究DRIE刻蚀钝化时间比影响硅刻蚀形貌的程度,合理化优化工艺参数,借助三步刻蚀工艺,对直壁沟槽进行贯穿刻蚀,其宽度是150微米,深度是300微米.另外,基于C4F8条件下,通过降低电极射频功率,使其对于SiO2薄膜的过刻蚀情况得到缓解.
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作者：
郑尧光
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作者单位：
210033 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 江苏 南京
关键词：
硅基深宽比结构
SiO2薄膜
干法刻蚀方法
出版年：
2019
数字化用户
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ISSN：
年,卷(期)：
2019.
25
(52)
参考文献量
2
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