数字化用户2019，Vol.25Issue(52) ：180.

硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法

郑尧光
数字化用户2019，Vol.25Issue(52) ：180.
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硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法

郑尧光1
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  • 1. 210033 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 江苏 南京
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摘要

在此次研究中,研究的重点集中于深反应离子刻蚀工艺,通过研究DRIE刻蚀钝化时间比影响硅刻蚀形貌的程度,合理化优化工艺参数,借助三步刻蚀工艺,对直壁沟槽进行贯穿刻蚀,其宽度是150微米,深度是300微米.另外,基于C4F8条件下,通过降低电极射频功率,使其对于SiO2薄膜的过刻蚀情况得到缓解.

关键词

硅基深宽比结构/SiO2薄膜/干法刻蚀方法

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出版年

2019
数字化用户

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ISSN：
参考文献量2
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