首页|基于AlN钝化层的异面GaAs光电导开关初步研究

基于AlN钝化层的异面GaAs光电导开关初步研究

扫码查看
原文链接
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
为解决GaAs光电导开关(PCSS)电极接触区局部高电场和热累积效应的问题。引入高热导率、高临界击穿电场强度及热稳定性优的AlN薄膜钝化GaAs PCSS，探索了AlN薄膜的制备工艺，分析了其元素成分、折射率及特征击穿电场强度(Eb)。同时制备了AlN-GaAs PCSS，分析了不同偏置电压下PCSS的瞬态特性，探究了GaAs PCSS的损伤机制。结果表明，溅射功率为 40 W、Ar:N2 比为 24:2、压强为 0。8 Pa时，AlN薄膜的质量最优;在 905 nm、2 μJ、50 kV/cm下，AlN-GaAs PCSS输出幅值为 9。6 kV、上升时间为 450 ps、脉冲宽度为 2。3 ns，初步验证AlN薄膜的引入在提升GaAs PCSS可靠性方面具有可行性。

杨光晖、杨迎香、程骏、吴小帅、胡龙

展开 >

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051

西安交通大学,陕西西安 710049

GaAs PCSS AlN薄膜 钝化 瞬态特性 特征击穿电场强度

2024

通讯世界
中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757
ISSN：1006-4222
年,卷(期)：2024.31(2)
  • 5