摘要
为解决GaAs光电导开关(PCSS)电极接触区局部高电场和热累积效应的问题.引入高热导率、高临界击穿电场强度及热稳定性优的AlN薄膜钝化GaAs PCSS,探索了AlN薄膜的制备工艺,分析了其元素成分、折射率及特征击穿电场强度(Eb).同时制备了AlN-GaAs PCSS,分析了不同偏置电压下PCSS的瞬态特性,探究了GaAs PCSS的损伤机制.结果表明,溅射功率为 40 W、Ar:N2 比为 24:2、压强为 0.8 Pa时,AlN薄膜的质量最优;在 905 nm、2 μJ、50 kV/cm下,AlN-GaAs PCSS输出幅值为 9.6 kV、上升时间为 450 ps、脉冲宽度为 2.3 ns,初步验证AlN薄膜的引入在提升GaAs PCSS可靠性方面具有可行性.
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