介绍了一种采用氮化镓(GaN)材料的L波段高增益小型化功率载片设计方法。该GaN功率载片基于高电子迁移率晶体管芯片，采用负载牵引测试技术提取大信号阻抗参数，并依据该大信号阻抗参数设计阻抗匹配电路网络。在L波段 990 MHz～1 130 MHz频段内，36 V直流工作电压、150 μs脉冲宽度、15%占空比工作条件下，实现输出功率大于 150 W、功率增益优于 35 dB、功率附加效率大于 52。5%的性能指标，并在20 mm×14 mm×2。8 mm的尺寸内，实现高增益、高效率的百瓦量级小型化功率载片研制目标。
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