摘要
由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升.基于此,采用 0.13 μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对 0.13 μm GaN工艺和器件进行阐述.对功率放大器设计和制作进行研究,包括功率放大器的架构、电路实现以及功率合成和版图实现,并对功率放大器进行测试和结果分析,包括小信号特性和大信号特性.该功率放大器在 40 GHz～75 GHz频段内,其饱和输出功率大于 2W,附加效率大于 15%,功率增益大于 18 dB,可广泛应用于毫米波雷达和通信领域.
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