由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性，因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展，其性能不断提升。基于此，采用 0。13 μm GaN工艺，研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)，对 0。13 μm GaN工艺和器件进行阐述。对功率放大器设计和制作进行研究，包括功率放大器的架构、电路实现以及功率合成和版图实现，并对功率放大器进行测试和结果分析，包括小信号特性和大信号特性。该功率放大器在 40 GHz～75 GHz频段内，其饱和输出功率大于 2W，附加效率大于 15%，功率增益大于 18 dB，可广泛应用于毫米波雷达和通信领域。
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