高压超宽带GaN功率放大器芯片的研制

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中文摘要：设计了一款采用 48V 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的 1 GHz～10 GHz超宽带功率放大器芯片。通过栅源复合场板结构设计提升GaN HEMT器件的击穿电压，并基于高压GaN工艺平台设计了高输出功率超宽带功率放大器芯片。该功率放大器芯片整体输出功率大于 20 W，功率附加效率大于23%，输入输出回波损耗小于-10 dB、小信号增益在 23～30 dB，各项指标参数较好。

作者：

范悬悬、边照科

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作者单位：

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051

关键词：

超宽带高压工艺 GaN 大功率

出版年：

2024

通讯世界

中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757

ISSN：1006-4222

年,卷(期)：2024.31(6)