高压超宽带GaN功率放大器芯片的研制

范悬悬 ¹边照科¹

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1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051
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摘要

设计了一款采用 48V 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的 1 GHz～10 GHz超宽带功率放大器芯片.通过栅源复合场板结构设计提升GaN HEMT器件的击穿电压,并基于高压GaN工艺平台设计了高输出功率超宽带功率放大器芯片.该功率放大器芯片整体输出功率大于 20 W,功率附加效率大于23%,输入输出回波损耗小于-10 dB、小信号增益在 23～30 dB,各项指标参数较好.

关键词

超宽带/高压工艺/GaN/大功率

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出版年

2024

通讯世界

中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757

ISSN：1006-4222

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