功率芯片金-硅焊接空洞研究

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中文摘要：金-硅(Au-Si)焊接通常用于装配射频电路中大功率的芯片，对芯片空洞率的要求极高，以此降低芯片装配的热阻和提高装配的可靠性，Au-Si焊接的主要方式为保护气氛下共晶摩擦焊。为降低Au-Si共晶摩擦焊的空洞率，对焊接载体的镀层进行研究，通过使用镍-钴(Ni-Co)镀层替代Ni镀层，增加Ni-Co镀层厚度，改善焊接效果，提高芯片装配的可靠性。

作者：

王朋、范国莹、白红美、孙保瑞、鲍帅、李保第

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作者单位：

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050000

关键词：

金-硅焊接 Ni-Co镀层空洞率共晶摩擦焊热阻

出版年：

2024

通讯世界

中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757

ISSN：1006-4222

年,卷(期)：2024.31(6)