功率芯片金-硅焊接空洞研究

王朋 ¹范国莹 ¹白红美 ¹孙保瑞 ¹鲍帅 ¹李保第¹

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1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050000
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摘要

金-硅(Au-Si)焊接通常用于装配射频电路中大功率的芯片,对芯片空洞率的要求极高,以此降低芯片装配的热阻和提高装配的可靠性,Au-Si焊接的主要方式为保护气氛下共晶摩擦焊.为降低Au-Si共晶摩擦焊的空洞率,对焊接载体的镀层进行研究,通过使用镍-钴(Ni-Co)镀层替代Ni镀层,增加Ni-Co镀层厚度,改善焊接效果,提高芯片装配的可靠性.

关键词

金-硅焊接/Ni-Co镀层/空洞率/共晶摩擦焊/热阻

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出版年

2024

通讯世界

中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757

ISSN：1006-4222

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