为了提升 740 MHz～960 MHz 705 W GaN功率器件的输出功率和抗失配能力，对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和GaN功率器件进行设计，采用双场板技术和背面通孔技术解决器件击穿电压低和抗负载失配能力差的问题。同时，基于预匹配技术和金属陶瓷封装技术，成功研制出Dohert结构的GaN功率器件。对设计出的GaN功率器件进行测试，在工作电压为 48 V、工作频段为 740 MHz～960 MHz的条件下，实现输出功率达到 708 W，带内功率附加效率最高达 77。8%，功率增益大于 16。5 dB，抗失配能力达到 5:1 的性能指标。
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