纳米银烧结GaN射频功率芯片研究

白红美 ¹孙保瑞 ¹范国莹 ¹李保第¹

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1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051
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摘要

为了解决纳米银浆无压烧结GaN射频功率芯片时,高长宽比管芯出现的两端烧结不良问题,利用红外热像仪和扫描电镜等分析手段研究烧结过程,对纳米银浆的烧结机制进行了深入研究,对比多款烧结银浆的烧结效果,提出了半烧结银的工艺方案,成功解决了高长宽比芯片两端烧结不良的问题,实现了纳米银浆在GaN射频功率芯片无压烧结方面的工艺突破,以期在GaN高功率射频工程化应用中得到广泛推广.

关键词

纳米银浆/GaN射频功率芯片/烧结不良/红外热像仪

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出版年

2024

通讯世界

中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757

ISSN：1006-4222

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