通讯世界2024，Vol.31Issue(6) ：52-54.

4GHz～8GHz 200W GaN超宽带内匹配功率放大器的研制

李剑锋 银军 余若祺 斛彦生 王毅 梁青 倪涛
通讯世界2024，Vol.31Issue(6) ：52-54.
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4GHz～8GHz 200W GaN超宽带内匹配功率放大器的研制

李剑锋 1银军 1余若祺 1斛彦生 1王毅 1梁青 1倪涛1
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作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051
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摘要

基于中国电子科技集团公司第十三研究所 0.25 μm GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)工艺平台研制的高压大栅宽芯片,设计了一款 4 GHz～8 GHz 200 W GaN超宽带内匹配功率放大器,分别进行了管芯设计、大信号模型设计、栅匹配电路设计以及输出匹配电路设计,并对设计出的功率放大器进行制作与测试,测试表明设计出的功率放大器具有优异的性能.

关键词

GaN/超宽带/内匹配/功率放大器

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出版年

2024
通讯世界
中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757
ISSN：1006-4222
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