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4GHz～8GHz 200W GaN超宽带内匹配功率放大器的研制

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基于中国电子科技集团公司第十三研究所 0。25 μm GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)工艺平台研制的高压大栅宽芯片，设计了一款 4 GHz～8 GHz 200 W GaN超宽带内匹配功率放大器，分别进行了管芯设计、大信号模型设计、栅匹配电路设计以及输出匹配电路设计，并对设计出的功率放大器进行制作与测试，测试表明设计出的功率放大器具有优异的性能。

李剑锋、银军、余若祺、斛彦生、王毅、梁青、倪涛

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中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051

GaN 超宽带 内匹配 功率放大器

2024

通讯世界
中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757
ISSN：1006-4222
年,卷(期)：2024.31(6)