通讯世界2024，Vol.31Issue(6) ：58-60.

超宽带GaN功率放大器和开关集成设计研究

边照科 许刚 刘帅
通讯世界2024，Vol.31Issue(6) ：58-60.
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超宽带GaN功率放大器和开关集成设计研究

边照科 1许刚 1刘帅1
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作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051
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摘要

为解决分散独立的多通道射频链路兼容性难题,提出了一款基于 0.15 μm GaN工艺的高集成、超宽带功率放大器开关一体式芯片.通过非标准阻抗的匹配方式对功率放大器和开关进行级联设计,减小了整体芯片尺寸,并提高了功率放大器开关芯片的功率附加效率,最终在 2 GHz～18 GHz频带,实现了功率放大器开关芯片饱和输出功率为 6W,功率增益为 16 dBm,且功率附加效率大于 19%.

关键词

超宽带/分布式/功率放大器/开关

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出版年

2024
通讯世界
中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757
ISSN：1006-4222
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