超宽带GaN功率放大器和开关集成设计研究

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中文摘要：为解决分散独立的多通道射频链路兼容性难题，提出了一款基于 0。15 μm GaN工艺的高集成、超宽带功率放大器开关一体式芯片。通过非标准阻抗的匹配方式对功率放大器和开关进行级联设计，减小了整体芯片尺寸，并提高了功率放大器开关芯片的功率附加效率，最终在 2 GHz～18 GHz频带，实现了功率放大器开关芯片饱和输出功率为 6W，功率增益为 16 dBm，且功率附加效率大于 19%。

作者：

边照科、许刚、刘帅

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作者单位：

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051

关键词：

超宽带分布式功率放大器开关

出版年：

2024

通讯世界

中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757

ISSN：1006-4222

年,卷(期)：2024.31(6)