首页|100V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化

100V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化

扫码查看
原文链接
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
基于高压模拟开关需求，对 100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件，研究了该LDMOS器件的结构参数，包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法，通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量，调节器件的阈值电压，同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。

王永维、黄柯月、温恒娟、陈浪涛、周锌

展开 >

中国电子科技集团公司电子第十三研究所,河北石家庄 050051

北京国联万众半导体科技有限公司,北京 101318

电子科技大学集成电路科学与工程学院,四川成都 611731

北京振兴计量测试研究所,北京 100074

展开 >

SOI LDMOS 绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 阈值电压

2024

通讯世界
中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757
ISSN：1006-4222
年,卷(期)：2024.31(7)
  • 5