100V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化

王永维 ¹黄柯月 ²温恒娟 ³陈浪涛 ²周锌²

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作者信息

1. 中国电子科技集团公司电子第十三研究所,河北石家庄 050051;北京国联万众半导体科技有限公司,北京 101318
2. 电子科技大学集成电路科学与工程学院,四川成都 611731
3. 北京振兴计量测试研究所,北京 100074
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摘要

基于高压模拟开关需求,对 100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究.利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响.采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流.

关键词

SOI/LDMOS/绝缘体上硅/功率器件/击穿电压/阈值电压

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出版年

2024

通讯世界

中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757

ISSN：1006-4222

参考文献量1

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