通讯世界2024,Vol.31Issue(7) :15-17.

P波段GaN微波功率器件射频加速寿命试验

董四华 高永辉 银军 赵景波 郝海飞
通讯世界2024,Vol.31Issue(7) :15-17.

P波段GaN微波功率器件射频加速寿命试验

董四华 1高永辉 1银军 1赵景波 1郝海飞1
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  • 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051
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摘要

氮化镓(GaN)微波功率器件广泛应用于民用雷达及通信领域,其长期工作可靠性对整机设备性能有着极其重要的影响.在 150℃管壳温度的条件下对千瓦级P波段GaN微波功率器件进行加速寿命试验,基于Arrhenius模型对加速寿命试验结果进行计算和分析,得出该微波功率器件在 85℃管壳温度工作条件下的平均失效时间优于2.14×106 h,其工作寿命可以满足射频整机设备应用的要求.

关键词

峰值结温/可靠性/加速寿命试验/平均失效时间/P波段

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基金项目

"叶企孙"科学基金(U2241220)

出版年

2024
通讯世界
中国科技信息研究所(ISTIC),美国国际数据集团(IDG)

通讯世界

影响因子:0.757
ISSN:1006-4222
参考文献量2
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