硅基GaN单片功率集成电路的研制

吕树海 ¹谭永亮 ¹默江辉 ¹周国 ¹付兴中¹

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1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051
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摘要

研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成.重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化"T"型栅栅脚电场工艺.经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA.研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路.

关键词

硅基GaN/单片集成功率IC/增强型器件/耗尽型器件

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出版年

2024

通讯世界

中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757

ISSN：1006-4222

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