硅基GaN单片功率集成电路的研制

扫码查看

原文链接

NETL
NSTL
万方数据

中文摘要：研制了一款基于硅基GaN工艺，包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路，实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究，同时，优化"T"型栅栅脚电场工艺。经过测试，硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性，为复杂功能电路的开发提供方向和思路。

作者：

吕树海、谭永亮、默江辉、周国、付兴中

展开 >

作者单位：

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051

关键词：

硅基GaN 单片集成功率IC 增强型器件耗尽型器件

出版年：

2024

通讯世界

中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757

ISSN：1006-4222

年,卷(期)：2024.31(8)