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1 GHz～4 GHz 200 W超宽带GaN内匹配功率放大器的研究

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采用砷化镓无源集成电路(GaAs IPD)和陶瓷薄膜无源电路相结合的匹配技术，实现覆盖L波段、S波段的超宽带功率放大器的内匹配设计。功率放大器集成封装于内腔尺寸为 30。6 mm×27。3 mm×5。0 mm的金属陶瓷气密管壳内，实现在1 GHz～4 GHz频段内、工作电压为48 V、占空比为 10%、脉宽为 100 μs的条件下，带内输出功率大于220 W、功率增益达9。5～10。8 dB、附加效率达43%～55%的性能指标。

吴志国、银军、余若褀、闫国庆、王毅、倪涛、斛彦生

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中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051

GaN功率放大器 GaAs IPD 内匹配 超宽带 小型化

2024

通讯世界
中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757
ISSN：1006-4222
年,卷(期)：2024.31(8)