通讯世界2024，Vol.31Issue(8) ：13-15.

1 GHz～4 GHz 200 W超宽带GaN内匹配功率放大器的研究

吴志国 银军 余若褀 闫国庆 王毅 倪涛 斛彦生
通讯世界2024，Vol.31Issue(8) ：13-15.
✕
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据

1 GHz～4 GHz 200 W超宽带GaN内匹配功率放大器的研究

吴志国 1银军 1余若褀 1闫国庆 1王毅 1倪涛 1斛彦生1
扫码查看

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051
  • 折叠

摘要

采用砷化镓无源集成电路(GaAs IPD)和陶瓷薄膜无源电路相结合的匹配技术,实现覆盖L波段、S波段的超宽带功率放大器的内匹配设计.功率放大器集成封装于内腔尺寸为 30.6 mm×27.3 mm×5.0 mm的金属陶瓷气密管壳内,实现在1 GHz～4 GHz频段内、工作电压为48 V、占空比为 10%、脉宽为 100 μs的条件下,带内输出功率大于220 W、功率增益达9.5～10.8 dB、附加效率达43%～55%的性能指标.

关键词

GaN功率放大器/GaAs/IPD/内匹配/超宽带/小型化

引用本文复制引用

出版年

2024
通讯世界
中国科技信息研究所（ISTIC）,美国国际数据集团（IDG）

通讯世界

影响因子：0.757
ISSN：1006-4222
参考文献量2
段落导航相关论文