碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展

Research Progress of High Density Interconnection Technology for SiC Power Devices

王志宽 ¹冯治华 ²陈容 ²燕子鹏 ³崔伟 ²陆科 ²廖希异³

扫码查看

作者信息

1. 中科渝芯电子有限公司,重庆 400060
2. 集成电路与微系统全国重点实验室,重庆 400060
3. 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆 400060
折叠

摘要

相比于硅,SiC材料因具有宽禁带、高导热率、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等优点而在耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件中得到了广泛应用.传统的引线键合是功率器件最常用的互连形式之一.然而,引线键合固有的寄生电感和散热问题严重限制了 SiC功率器件的性能.文章首先介绍了硅功率器件的低寄生电感和高效冷却互连技术,然后对SiC功率器件互连技术的研究进行了综述.最后,总结了 SiC功率器件互连技术面临的挑战.

关键词

碳化硅/功率器件/封装/硅材料

Key words

SiC/power device/packaging/Si material

引用本文复制引用

基金项目

集成电路与微系统全国重点实验室基金(2022-JCJQ-LB-049-9)

出版年

2023

微电子学

四川固体电路研究所

微电子学

CSTPCD北大核心

影响因子：0.274

ISSN：1004-3365

参考文献量31

段落导航