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钨掺杂BiVO4光阳极降解环丙沙星的表面态行为

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  • 万方数据
采用简单浸渍的方法对BiVO4光阳极进行表面钨(W)掺杂,以环丙沙星(CIP)为药品和个人护理产品(PPCPs)模型污染物,研究了 W掺杂BiVO4光阳极降解CIP的表面态行为.结果表明,低浓度W掺杂对BiVO4光阳极的晶体结构、表面形貌和光吸收性能没有显著影响.但W掺杂取代了 BiVO4光阳极表面的V5+,能抑制BiVO4光阳极表面V5+/V4+还原过程,减少复合中心表面态,同时引入更多氧空穴,增加活性位点表面态.C1P的降解反应受表面活性位点控制.表面W掺杂能有效促进CIP降解的电荷转移,提高BiVO4光阳极光电催化降解性能.
Surface state behavior of W doped BiVO4 photoanode for ciprofloxacin degradation
A simple immersion method was used for surface W doping of BiVO4 photoanode.Ciprofloxacin(CIP)was used as a pharmaceuticals and personal care products(PPCPs)model contaminant to study the surface state behavior of W-BiVO4 photoanode for CIP degradation.The results show that low concentration of W doping has no significant effect on the crystal structure,surface morphology and optical absorption performance of BiVO4 photo-anode.However,W doping replaces V5+on the surface of BiVO4 photoanode,inhibiting the V5+/V4+reduction pro-cess on the surface of BiVO4 photoanode and reducing the surface state acting as recombination centre.It can also introduce more oxygen vacancies and increase the surface state acting as reaction sites.CIP degradation reaction is controlled by surface active sites.Surface W doping can effectively promote the charge transfer for CIP degradation,thereby improving the photoelectrocatalytic degradation performance of BiVO4 photoanode.

BiVO4W-dopingphotoelectrocatalytic oxidation technologyciprofloxacinsurface state

路子峥、苏婉宜、施钦、潘鸿辉、赵传起、黄承锋、彭进国

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2024

10.11862/CJIC.20230225

无机化学学报
中国化学会

无机化学学报

CSTPCD北大核心
影响因子：0.665
ISSN：1001-4861
年,卷(期)：2024.40(3)
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