科技与创新2021，Issue(19) ：62-63,65.DOI:10.15913/j.cnki.kjycx.2021.19.026

低温溅射硫化铜薄膜正极及其储锂性能研究

黄智月 张红 王星辉
科技与创新2021，Issue(19) ：62-63,65.DOI:10.15913/j.cnki.kjycx.2021.19.026
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低温溅射硫化铜薄膜正极及其储锂性能研究

黄智月 1张红 1王星辉1
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作者信息

  • 1. 福州大学,福建 福州 350108
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摘要

采用射频磁控溅射方法低温制备硫化铜薄膜正极,研究了硫化铜薄膜作为锂离子电池正极的储锂性能.结果表明,硫化铜薄膜正极具有较高的放电面积比容量,在10μA/cm2的电流密度下,第二次放电面积比容量为71.5 uAh/cm2,循环50次后,电极的放电面积比容量仍有37.5μAh/cm2,所以该低温溅射的硫化铜薄膜正极具有集成于集成电路的潜力.

关键词

射频磁控溅射/硫化铜薄膜/全固态薄膜锂电池/正极

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出版年

2021
科技与创新
中国计算机用户协会

科技与创新

ISSN：1008-0570
参考文献量3
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