科技与创新2022，Issue(7) ：174-177.DOI:10.15913/j.cnki.kjycx.2022.07.052

基于Sentaurus的隧穿场效应晶体管仿真研究

江瑞
科技与创新2022，Issue(7) ：174-177.DOI:10.15913/j.cnki.kjycx.2022.07.052
✕
  • NETL
  • NSTL
  • 维普
  • 万方数据

基于Sentaurus的隧穿场效应晶体管仿真研究

江瑞1
扫码查看

作者信息

  • 1. 上海电力大学电子与信息工程学院,上海200090
  • 折叠

摘要

隧穿场效应晶体管目前已成为低功耗器件的重要发展方向之一.提出了一种含pocket结构的新型异质结双栅隧穿场效应晶体管,基于Sentaurus TCAD仿真软件,将该新型器件与传统Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(Si/Ge_DGTFET)进行对比.研究两者能带结构、隧穿概率和跨导特性.仿真结果显示,新型器件的能带弯曲更加明显,更有利于隧穿的产生,新型器件的隧穿产生率是传统器件的数倍,其峰值达到1.497×1033 cm-3·s-1,并且其跨导特性也要优于传统器件.

关键词

异质结/隧穿场效应晶体管(TFET)/跨导特性/TCAD仿真

引用本文复制引用

出版年

2022
科技与创新
中国计算机用户协会

科技与创新

ISSN：1008-0570
参考文献量1
段落导航相关论文