金属氧化物型阻变存储器编程方案的优化设计

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中文摘要：近年来,随着半导体技术的快速发展及各种智能产品的普及,消费者对存储器的性能要求越来越高,但经过几十年的快速发展,目前主流的非易失性存储器尺寸已逼近物理极限.阻变存储器(RRAM)因其良好的扩展性、更低的功耗、更快的操作速度,成为未来新型非易失性存储器的主要候选者之一.阻变存储器虽然展现出巨大的应用潜力,但目前技术还不够成熟,主要表现在器件可靠性不足.提出并验证了一种优化的脉冲编程方案,不需要特别的工艺或电路设计,通过脉冲编程波形的优化改善了RRAM器件阻值的均一性.

作者：

张峻豪

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作者单位：

北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院,北京 100096

关键词：

非易失性存储器编程方案均一性可靠性

出版年：

2024

DOI：

10.15913/j.cnki.kjycx.2024.12.011

科技与创新

中国计算机用户协会

科技与创新

ISSN：1008-0570

年,卷(期)：2024.(12)

参考文献量4