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氧化锌及纳米氧化锌研究进展

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ZnO是一种重要的直接宽带隙半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,对于开发蓝绿、蓝光、紫外等多种发光器件有巨大潜力.纳米ZnO表现出与体材料明显不同的电学、磁学、光学、化学等性质,是目前纳米材料的研究热点之一.本文介绍了ZnO和纳米ZnO的一些基本性质,综述了近年来纳米ZnO的合成以及应用等方面研究的一些进展.
Research progress of ZnO and nano-ZnO

林传金、田强、王引书

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北京师范大学物理系,北京,100875

ZnO 纳米ZnO 研究进展

2006

物理实验
东北师范大学

物理实验

影响因子：0.573
ISSN：1005-4642
年,卷(期)：2006.26(6)
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