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利用变温霍尔效应计算N型Ge的杂质电离能和禁带宽度

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通过变温霍尔效应实验,在77～420 K温度范围内对N型Ge标准样品的电学特性进行测量.根据对高温本征导电区斜率的计算,得到样品禁带宽度Eg;对低温杂质电离区斜率的计算,得到样品杂质电离能Ei.对计算结果进行比较,lg(niT-3/2)-T-1及lg(|R|T3/2)-T-1曲线更适合用于计算禁带宽度;降温的lg(σ/T)-T-1曲线更适合用于计算杂质电离能.
Calculation of the ionization energy and band gap of N-type Ge by temperature-dependent Hall effect

郑梓涵、黄之豪、符斯列

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华南师范大学 物理与电信工程学院 物理学科基础课程国家级实验教学示范中心,广东 广州 510003

变温霍尔效应 禁带宽度 杂质电离能 N型Ge半导体

国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省高校特色创新项目

10575039S20130100125482018KTSCX121

2022

10.19655/j.cnki.1005-4642.2022.05.002

物理实验
东北师范大学

物理实验

影响因子：0.573
ISSN：1005-4642
年,卷(期)：2022.42(5)
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