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碳黑掺杂氧化石墨烯基阻变存储器的制备及其特性研究

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阻变存储器的电阻转变稳定性和耐擦写次数是其商业化应用的重要指标.采用氧化石墨烯(GO)作为阻变存储器中间介质层,制备了Al/GO/ITO器件,分析了其阻变机制,该器件开启关闭电压、高低电阻值相对波动率较大.针对该问题,采用在GO中掺杂碳黑以及紫外光辐照的方法,在GO内部构筑局域化电场来控制材料内部的氧分布.实验结果表明:在阻变层GO中掺杂一定质量分数的碳黑能降低器件波动性,此外,随着碳黑掺杂质量分数的提高,器件运行状态由突变向缓变转变;紫外光热转化导致导电细丝易断裂,掺杂后加光辐照器件保留了一定的柔性特性.
Study on the preparation and characteristics of carbon black doped GO-based resistive switching memory

王泽楠、陶冶、卞景垚

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东北师范大学 物理学院,吉林 长春 130024

东北师范大学 物理学国家级实验教学示范中心(东北师范大学),吉林 长春 130024

阻变存储器 氧化石墨烯 碳黑 紫外光辐照

国家自然科学基金

62004016

2022

10.19655/j.cnki.1005-4642.2022.05.003

物理实验
东北师范大学

物理实验

影响因子：0.573
ISSN：1005-4642
年,卷(期)：2022.42(5)
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