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退火处理对磁控溅射MoOx薄膜性质的调控

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采用射频磁控溅射的方法制备了MoOx薄膜,并对MoOx薄膜进行不同气氛和时间的退火处理.退火使MoOx薄膜的氧空位增加,并改变了MoOx薄膜的晶相、电阻率和表面形貌.测试结果表明:未退火MoOx薄膜的表面不存在明显晶粒,且只包含1个单斜相衍射峰和较少的氧空位,这导致未退火MoOx薄膜的电阻率最高.当氮气做退火气氛时,MoOx薄膜表面存在均匀分布且生长取向相同的微粒,单斜相衍射峰数目更多,电阻率最低;在氮氢混合气中退火的MoOx薄膜表面存在团簇,且电阻率约为氮气退火MoOx薄膜的2倍.此外,当分别用氮气和氮氢混合气退火时,MoOx薄膜均呈现出随退火时间延长,氧空位含量增加,电阻率进一步降低的趋势.
Effect on properties of magnetron sputtering MoOx films by annealing

石雨铭、王莹琳、李雅楠、林剑飞、朱匡宇、张昕彤

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东北师范大学 物理学院,吉林 长春 130024

东北师范大学 物理学国家级实验教学示范中心(东北师范大学),吉林 长春 130024

MoOx薄膜 退火气氛 退火时间 氧空位 电阻率

2022

10.19655/j.cnki.1005-4642.2022.08.008

物理实验
东北师范大学

物理实验

影响因子：0.573
ISSN：1005-4642
年,卷(期)：2022.42(8)
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