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碳量子点修饰对有机-无机杂化钙钛矿阻变性能的影响

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通过在前驱体中添加碳量子点(CQD),制备了具有不同晶粒尺寸的有机-无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3(MAPbI3)薄膜,并以金(Au)和氟掺氧化锡(FTO)为电极制备了具有Au/CQD-MAPbI3/FTO结构的阻变器件.测试了CQD掺杂浓度对器件阻变性能的影响,并分析了其物理机制.结果 表明:通过优化CQD掺杂质量浓度可以提升器件开关比,降低器件运行电压的波动.基于导电通道模型,器件阻变性能提升的可能原因为晶界主导的碘离子迁移随机性降低,导电通道结构简化.
Effect of carbon quantum dot modification on the resistive switching characteristics of organic-inorganic hybrid perovskites

陈晓婷、张晓晗、许嘉琪、赵晓宁

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东北师范大学物理学院,吉林 长春 130024

东北师范大学物理学国家级实验教学示范中心(东北师范大学),吉林 长春 130024

阻变存储器 有机-无机杂化钙钛矿 碳量子点 导电细丝

2022

10.19655/j.cnki.1005-4642.2022.10.002

物理实验
东北师范大学

物理实验

影响因子：0.573
ISSN：1005-4642
年,卷(期)：2022.42(10)
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