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SrRuO3超薄膜制备条件和拓扑霍尔效应的关联

Correlation of preparation conditions of SrRuO3 ultrathin films with topological Hall effect

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使用激光分子束外延在SrTiO3(001)衬底上生长SrRuO3薄膜,并研究激光能量密度、生长温度和靶材表面烧蚀度等生长参数对于SrRuO3表面形貌、基本磁电性质以及拓扑霍尔效应的影响.当在最优条件下生长SrRuO3薄膜时,样品表面平整、台阶清晰,具有最低的金属-绝缘体转变温度,电阻率最低,且具有最显著的拓扑霍尔效应;而改变生长参数生长的SrRuO3薄膜由于存在更多的缺陷,其表面较粗糙,金属-绝缘体转变温度增大,或表现出绝缘体行为,而拓扑霍尔效应会变弱甚至消失.

张静娴、保明睿、叶飞、刘佳、成龙、翟晓芳

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中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心,材料物理与化学系,合肥 230026

上海科技大学物质学院,上海 201210

SrRuO3 激光分子束外延 生长控制 拓扑霍尔效应

国家自然科学基金国家自然科学基金上海市科委项目上海科技大学启动经费资助的课题

520722441210430521JC1405000

2023

10.7498/aps.72.20221854

物理学报
中国物理学会，中国科学院物理研究所

物理学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：1.038
ISSN：1000-3290
年,卷(期)：2023.72(9)
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