首页|基于HfO2插层的Ga2O3基金属-绝缘体-半导体结构日盲紫外光电探测器

基于HfO2插层的Ga2O3基金属-绝缘体-半导体结构日盲紫外光电探测器

Ga2O3-based metal-insulator-semiconductor solar-blind ultraviolet photodetector with HfO2 inserting layer

扫码查看
原文链接
  • 国家科技期刊平台
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
作为一种新兴的超宽带隙半导体,Ga2O3在开发高性能的日盲紫外光电探测器方面具有独特的优势.金属-半导体-金属结构因其制备方法简单、集光面积大等优点在Ga2O3日盲紫外光电探测器中得到了广泛的应用.本文在传统的金属-半导体-金属结构Ga2O3日盲紫外光电探测器的基础上,利用原子层沉积技术引入高介电性和绝缘性的氧化铪(HfO2)作为绝缘层和钝化层,制备出带有HfO2插层的金属-绝缘体-半导体结构的Ga2O3日盲紫外光电探测器,显著降低了暗电流,提升了光暗电流比,同时提高了器件的比探测率和响应速度,为未来Ga2O3在高性能弱光探测器件制备提供了一种新通用策略.

董典萌、汪成、张清怡、张涛、杨永涛、夏翰驰、王月晖、吴真平

展开 >

北京邮电大学理学院,信息功能材料与器件实验室,北京 100876

氧化镓 紫外探测 金属-绝缘体-半导体 表面钝化

国家自然科学基金信息光子学与光通信国家重点实验室开放基金

12074044IPOC2021ZT05

2023

10.7498/aps.72.20222222

物理学报
中国物理学会，中国科学院物理研究所

物理学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：1.038
ISSN：1000-3290
年,卷(期)：2023.72(9)
  • 31