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Pb2+掺杂对Cd1-xZnxS光催化产氢性能的影响规律

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采用共沉淀法制备了Pb2+掺杂的Cd0.2Zn0.8S及Cd0.8Zn0.2S固溶体光催化剂.实验结果表明,Pb2+掺杂的宽带隙固溶体Cd0.2Zn0.8S在6s轨道与固溶体的价带杂化后提升了价带位置,降低了半导体的带隙,因而提高了产氢活性.当Pb2+掺杂窄带隙固溶体Cd0.8Zn0.2 S后,形成固溶体价带附近的杂质能级,并成为光生电子空穴复合中心,因而不能提高产氢性能.因此,Pb2+对半导体的可见光改性仅适用于较宽带隙的半导体.
Effect of Pb2+ Doping on Band Gap of Cd1-xZnxS Solid Solution and Photocatalytic Water Splitting Activity

邢婵娟、郭烈锦

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西安交通大学动力工程多相流国家重点实验室,710049,西安

固溶体 光催化剂 产氢

国家重点基础研究发展计划(973计划)

2003CB214500

2008

西安交通大学学报
西安交通大学

西安交通大学学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.914
ISSN：0253-987X
年,卷(期)：2008.42(1)
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