摘要
以'绿博6号'黄瓜幼苗为试材,采用营养液培法研究不同浓度外源硅(0、0.5、1.0、1.5和2.0 mmol/L)对肉桂酸(cinnamic acid,CA)模拟自毒胁迫(3.0 mmol/L CA)下黄瓜幼苗生长、光合参数和叶绿素荧光参数的影响.结果 表明:(1)自毒胁迫显著抑制了黄瓜幼苗的生长、根系形态建成和生物量的积累,显著降低了净光合速率(Pn)、蒸腾速率(Tr)、气孔导度(Gs)和叶绿素(Chl a、Chl b和Chl t)含量,并显著降低了叶片中PSⅡ的电子传递速率(ETR)、PSⅡ实际光化学效率[Y(Ⅱ)]和光化学淬灭系数(qP).(2)添加适宜浓度外源硅可有效缓解自毒胁迫对黄瓜幼苗生长的影响,并提高其Pa、Gs、Tr和叶绿素含量,在一定程度上维持叶片光合系统的稳定.(3)添加适宜浓度外源硅能使自毒胁迫下黄瓜叶片的Fv/Fm、ETR、Y(Ⅱ)和qP显著升高,而非光化学淬灭系数(NPQ)则显著下降.研究发现,添加适宜浓度外源硅能提高自毒胁迫下黄瓜幼苗的叶绿素含量、Fv/Fm、ETR、Y(Ⅱ)和qP,使光合机构趋于稳定,抑制Pn的下降,缓解自毒胁迫对光合系统的损伤,从而增强黄瓜幼苗对自毒胁迫的抗性,并以1.0mmol/L外源硅处理的效果最佳.
基金项目
国家自然科学基金(31660584)
国家重点研发计划(2018YFD0201205)
甘肃省科技重大专项计划(17ZD2NA015)
甘肃省自然科学基金(1610RJZA098)
甘肃农业大学盛彤笙科技创新基金(GSAU-STS-1638)
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