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外源硅对自毒作用下黄瓜幼苗生长及光合特性的影响

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以'绿博6号'黄瓜幼苗为试材,采用营养液培法研究不同浓度外源硅(0、0.5、1.0、1.5和2.0 mmol/L)对肉桂酸(cinnamic acid,CA)模拟自毒胁迫(3.0 mmol/L CA)下黄瓜幼苗生长、光合参数和叶绿素荧光参数的影响.结果 表明:(1)自毒胁迫显著抑制了黄瓜幼苗的生长、根系形态建成和生物量的积累,显著降低了净光合速率(Pn)、蒸腾速率(Tr)、气孔导度(Gs)和叶绿素(Chl a、Chl b和Chl t)含量,并显著降低了叶片中PSⅡ的电子传递速率(ETR)、PSⅡ实际光化学效率[Y(Ⅱ)]和光化学淬灭系数(qP).(2)添加适宜浓度外源硅可有效缓解自毒胁迫对黄瓜幼苗生长的影响,并提高其Pa、Gs、Tr和叶绿素含量,在一定程度上维持叶片光合系统的稳定.(3)添加适宜浓度外源硅能使自毒胁迫下黄瓜叶片的Fv/Fm、ETR、Y(Ⅱ)和qP显著升高,而非光化学淬灭系数(NPQ)则显著下降.研究发现,添加适宜浓度外源硅能提高自毒胁迫下黄瓜幼苗的叶绿素含量、Fv/Fm、ETR、Y(Ⅱ)和qP,使光合机构趋于稳定,抑制Pn的下降,缓解自毒胁迫对光合系统的损伤,从而增强黄瓜幼苗对自毒胁迫的抗性,并以1.0mmol/L外源硅处理的效果最佳.
Effect of Exogenous Silicon on Growth and Photosynthetic Fluorescence Characteristics of Cucumber Seedlings under Autotoxicity

孟鑫、郁继华、颉建明、罗石磊、刘娜、谢言东、李晶、吕剑

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甘肃农业大学园艺学院,兰州730070

黄瓜幼苗 光合作用 叶绿素 外源硅 自毒胁迫 叶绿素荧光

国家自然科学基金国家重点研发计划甘肃省科技重大专项计划甘肃省自然科学基金甘肃农业大学盛彤笙科技创新基金

316605842018YFD020120517ZD2NA0151610RJZA098GSAU-STS-1638

2020

10.7606/j.issn.1000-4025.2020.10.1688

西北植物学报
西北农林科技大学,陕西省植物学会

西北植物学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：1.031
ISSN：1000-4025
年,卷(期)：2020.40(10)
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