摘要
采用高压釜水热法和电沉积法制备了FTO@TiO2(TNRAs)和FTO@TiO2@CuPc(CTNRAs)纳米阵列,优化了CTNRAs的CuPc电沉积时间,并对比分析了CTNRAs和TNRAs形貌、物相组成和光电催化性能.结果表明,随着电沉积时间的延长,CTNRAs表面CuPc负载量逐渐增大,而光电流密度先增加后减小,CTNRAs的最优CuPc电沉积时间为60 s,此时具有最大的光电流密度和光电流密度增长率.在TNRAs基板上电沉积CuPc不会改变纳米阵列的原始结构,CTNRAs中CuPc成功沉积在TNRAs表面并实现了良好接触.1.23VRHE时CTNRAs的光电转换效率高于TNRAs,380 nm处TNRAs的光电转换效率约为CTNRAs的46.7%,且连续照射8 h后CTNRAs仍具有较好的光电化学稳定性,这主要是因为CTNRAs具有垂直于基板生长的纳米阵列以及电沉积CuPc层,有助于提升二氧化钛基纳米阵列的光电转换效率.
基金项目
南京信息职业技术学院自然科研基金(YK20170301)
国家自然科学基金(51902159)