摘要
制备了氮掺杂石墨氮化碳(N-g-C3N4)负载Cd0.5Zn0.5S固溶体复合材料,并以此为基础复合另一种优秀的半导体催化剂In2O3制得In2O3/Cd0.5Zn0.5S/N-g-C3N4催化剂,通过三者的复合界面加速电子的传输和阻碍电子-空穴对的复合以提升光催化性能.通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱和X射线衍射对所制备的催化剂微观形貌和结构进行表征,利用电化学工作站进行瞬态光电流测试和气相色谱仪对产氢性能进行测试.结果表明,采用两步水热法制备得到较好分散的In2O3/Cd0.5Zn0.5S/N-g-C3N4复合催化剂;在In2O3和Cd0.5Zn0.5S/N-g-C3N4质量比为4:10时具有最好的催化效果,产氢量为100.22μmol,产氢速率为21.760 μmol/h,说明In2O3/Cd0.5Zn0.5S/N-g-C3N4复合光催化剂有较好电荷载体的快速迁移能力及稳定性.
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