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反向偏压调制下Ⅰ型阱结构体系光致发光特性的研究

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实验过程中研究了8-hydroxyq-uinoline aluminum(Alq3)和2-(4-biphenylyl)-5(4-tert-butyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)构成的Ⅰ型有机阱结构器件在反向偏压调制下的光致发光.器件的光致发光光谱主要是Alq3的发光,不同周期数的阱结构器件在反向电场作用下,光致发光的猝灭程度不同.
Study on the Photoluminescence Properties of Type Ⅰ Quantum Well System under Reverse Bias Modulation

朱海娜、徐征、郑宁、张链、陈子健

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天津中德职业技术学院电气与能源学院,天津300350

北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室,光电子技术研究所,北京100044

光致发光 猝灭 阱结构 光谱

国家自然科学基金国家自然科学基金天津市高等职业技术教育研究会课题

1077401310804006XI423

2013

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北京通信信息协会

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影响因子:0.378
ISSN:1006-6268
年,卷(期):2013.(1)
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