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反向偏压调制下Ⅰ型阱结构体系光致发光特性的研究

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实验过程中研究了8-hydroxyq-uinoline aluminum (Alq3)和2-(4-biphenylyl)-5 (4-tertbutyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole (PBD)构成的Ⅰ型有机阱结构器件在反向偏压调制下的光致发光.器件的光致发光光谱主要是Alq3的发光.不同周期数的阱结构器件在反向电场作用下,光致发光的猝灭程度不同.
Study on the photoluminescence properties of type Ⅰ quantum well system under reverse bias modulation

朱海娜、徐征、郑宁、张链、陈子坚

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天津中德职业技术学院,天津,300350

北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室,光电子技术研究所,北京100044

光致发光 猝灭 阱结构 光谱

国家自然科学基金国家自然科学基金天津市高等职业技术教育研究会课题天津中德职业技术学院校级科研项目

1077401310804006XI423zdkt2012-017

2013

现代显示
北京通信信息协会

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影响因子：0.378
ISSN：1006-6268
年,卷(期)：2013.(4)
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