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湖南科技大学学报(自然科学版)
1999,
Vol.
14
Issue
(1) :
69-71.
MoSi2低温氧化行为的研究
STUDY OF LOW-TEMPERATURE OXIDATION PROCESS OF MoSi2
张厚安
梁洁萍
李颂文
龙春光
湖南科技大学学报(自然科学版)
1999,
Vol.
14
Issue
(1) :
69-71.
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MoSi2低温氧化行为的研究
STUDY OF LOW-TEMPERATURE OXIDATION PROCESS OF MoSi2
张厚安
1
梁洁萍
1
李颂文
1
龙春光
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作者信息
1.
湘潭矿业学院机械系,湖南湘潭,411201
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摘要
通过热重量分析法(简称TGA法)测定了MoSi2在低温下氧化不同时间后的重量变化,发现500 ℃比400 ℃或600 ℃时的氧化速率明显加快,但未出现"PEST"现象.认为"PEST"与氧化层中相的组成有密切关系,氧化时表面生成的致密SiO2保护层是阻碍氧化深入进行的重要原因.图3,参4.
关键词
氧化
/
MoSi2
/
温度
引用本文
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基金项目
煤炭部青年基金(97-073)
出版年
1999
湖南科技大学学报(自然科学版)
湖南科技大学
湖南科技大学学报(自然科学版)
影响因子:
0.675
ISSN:
1672-9102
引用
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被引量
4
参考文献量
4
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