摘要
针对合金量子点(quantum dots,QDs)的制备及其光电性能评估问题,本文提出了一种化学合成方法,通过高温注入法成功制备了具有核壳结构的QDs.具体包括制备CdZnSe核前驱体,以及包覆ZnSe和ZnSeS壳层.结果表明:采用高温包覆的QDs在缺陷态密度上明显低于低温包覆的QDs,表现出更长的平均荧光寿命,验证了高温处理对缺陷态的有效抑制.此外,高温包覆的QDs具有较低的陷阱态密度,最终制备的QDs电致发光器件展现出优异的光电性能,开启电压为 2.1 V,最高亮度达 365 000 Cd/m2,峰值电流效率为 34 Cd/A,且在高电压下仍保持较高的色纯度.这些结果表明了合金QDs在光电应用中具有良好的前景.
维普
万方数据