合金量子点的制备及光电性能分析

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中文摘要：针对合金量子点(quantum dots，QDs)的制备及其光电性能评估问题，本文提出了一种化学合成方法，通过高温注入法成功制备了具有核壳结构的QDs。具体包括制备CdZnSe核前驱体，以及包覆ZnSe和ZnSeS壳层。结果表明:采用高温包覆的QDs在缺陷态密度上明显低于低温包覆的QDs，表现出更长的平均荧光寿命，验证了高温处理对缺陷态的有效抑制。此外，高温包覆的QDs具有较低的陷阱态密度，最终制备的QDs电致发光器件展现出优异的光电性能，开启电压为 2。1 V，最高亮度达 365 000 Cd/m2，峰值电流效率为 34 Cd/A，且在高电压下仍保持较高的色纯度。这些结果表明了合金QDs在光电应用中具有良好的前景。

作者：

李静

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作者单位：

郑州工业应用技术学院河南郑州 450064

关键词：

CdZnSe/ZnSe/ZnSeS 量子点(QDs) 光电性能

出版年：

2025

信息记录材料

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影响因子：0.246

ISSN：1009-5624

年,卷(期)：2025.26(1)