国家学术搜索
登录
注册
中文
EN
首页
|
试分析MBE生长碲镉汞材料的研究进展
试分析MBE生长碲镉汞材料的研究进展
引用
认领
扫码查看
点击上方二维码区域，可以放大扫码查看
原文链接
万方数据
中文摘要：
MBE是分子束外延是一种新的晶体生长技术的简称,高性能大面阵中波及短波红外探测器在领域内也随着技术的发展而得到更多的应用.碲镉汞材料的质量及参数控制是当前研究的焦点所在.笔者将以本文对MBE生长碲镉汞材料的研究现状分析讨论,具体报道如下.
收起全部
展开查看外文信息
作者：
张贺良
展开 >
作者单位：
中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 辽宁 沈阳 110000
关键词：
分子束外延
MBE生长碲镉汞
应用
现状
出版年：
2020
写真地理
吉林省舆林报刊发展有限责任公司
写真地理
ISSN：
1674-3733
年,卷(期)：
2020.
(12)
参考文献量
3
万方数据
