PDP选址驱动芯片的设计与实现

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中文摘要：设计出-种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时提出了HV-PMOS的厚栅氧刻蚀方法--多晶硅栅自对准刻蚀.文中最后对流水出的芯片进行了测试分析,证明所设计的芯片确实能满足实际要求.

作者：

吴建辉、孙伟锋、陆生礼

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作者单位：

东南大学国家ASIC系统工程中心,江苏,南京,210096

关键词：

等离子体平板显示选址驱动高压CMOS 高压NDMOS 自对准

基金：

江苏省科技攻关项目

项目编号：

BG2000010-4

出版年：

2003

应用科学学报

上海大学中国科学院上海技术物理研究所

CSTPCDCSCD

影响因子：0.594

ISSN：0255-8297

年,卷(期)：2003.21(2)