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晶体氧含量与硅单品直拉工艺关系的研究
晶体氧含量与硅单品直拉工艺关系的研究
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中文摘要：
单晶硅氧含量的高低，直接影响其OSF缺陷、单晶硅电池的衰减系数、效率。直拉单晶工艺使用的石英埚和硅熔液的反应，决定了直拉单晶硅棒氧含量处于较高的水平，尤其是单晶硅棒头部，影响了晶体质量。本文通过计算机模拟仿真，结合工艺试验，研究氩气流量、坩埚转速、坩埚位置对晶体氧含量的影响。
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作者：
高文宽、郭凯
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作者单位：
英利能源中国有限公司,河北省保定市071051
关键词：
硅晶体氧含量
计算机仿真
坩埚转速
坩埚位置
氩气流量
出版年：
2012
中国包装科技博览
中国包装总公司
中国包装科技博览
ISSN：
1009-914X
年,卷(期)：
2012.
(25)
参考文献量
4
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