晶体氧含量与硅单品直拉工艺关系的研究
高文宽 1郭凯1
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- 1. 英利能源中国有限公司,河北省保定市071051
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摘要
单晶硅氧含量的高低，直接影响其OSF缺陷、单晶硅电池的衰减系数、效率。直拉单晶工艺使用的石英埚和硅熔液的反应，决定了直拉单晶硅棒氧含量处于较高的水平，尤其是单晶硅棒头部，影响了晶体质量。本文通过计算机模拟仿真，结合工艺试验，研究氩气流量、坩埚转速、坩埚位置对晶体氧含量的影响。
关键词
硅晶体氧含量/计算机仿真/坩埚转速/坩埚位置/氩气流量引用本文复制引用
出版年
2012
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