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多芯片并联压接式IGBT中温度不均对电流分布的影响

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多芯片并联的压接式IGBT器件是柔性直流输电设备中的关键部件,因制造工艺、回路寄生参数和热耦合问题使得器件内部应力分布不均,造成器件不均匀老化,使得内部温度不均程度加剧,进而使得电流分配不均.围绕不同温度差异下导致的电流分布不均问题展开研究.首先,对造成IGBT器件并联不均流的原因以及温度对不均流特性的作用进行分析.然后,利用单芯片压接式IGBT器件并联模拟多芯片器件内部的温度分布不均情况,进行温度分布不均匀程度对电流分配影响的实验.最后,通过实验验证并联器件间温度差异与不均流程度的关系.所提方法为提高器件的运行可靠性和对压接式IGBT失效机理认知奠定基础.
Influence of Uneven Temperature on Current Distribution in Paralleled Multi-Chips Press Pack IGBT

邓真宇、陈民铀、赖伟、李辉、王晓、李金元、杜耀婷

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重庆大学 电气工程学院,重庆 400044

全球能源互联网研究院有限公司,北京 102206

国网重庆市电力公司南岸供电分公司,重庆 400060

压接式IGBT 温度分布 电流分布 并联 均流

国家自然科学基金资助项目国家自然科学基金-国家电网公司联合基金重点项目

51707024U1966213

2020

10.11930/j.issn.1004-9649.202004065

中国电力
国网能源研究院 中国电机工程学会

中国电力

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：1.463
ISSN：1004-9649
年,卷(期)：2020.53(12)
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