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4500V沟槽栅IGBT芯片的设计与研制

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为提升IGBT单芯片的电流密度,掌握高压沟槽栅IGBT技术,进行4500V沟槽栅IGBT芯片的研制.使用TCAD仿真软件,对4500V沟槽栅IGBT的衬底材料、载流子储存层设计、沟槽宽度、沟槽深度、假栅结构等方面进行研究和仿真分析,明确各方面设计与芯片性能的关系.根据总体设计目标,确定相应的芯片结构和工艺参数,并对4500V沟槽栅IGBT芯片进行流片验证.验证结果显示:4500V沟槽栅IGBT芯片的测试结果符合设计预期,芯片的额定电流、导通压降、开通损耗和关断损耗等关键参数相比平面栅IGBT芯片有明显优化.
Design and Development of 4500V Trench Gate IGBT

李立、王耀华、高明超、刘江、金锐

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先进输电技术国家重点实验室,北京 102209

全球能源互联网研究院有限公司,北京 102209

沟槽栅 IGBT 仿真 衬底 载流子存储层 假栅结构

国家电网有限公司科技项目

5455GB180007

2020

10.11930/j.issn.1004-9649.202006300

中国电力
国网能源研究院 中国电机工程学会

中国电力

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：1.463
ISSN：1004-9649
年,卷(期)：2020.53(12)
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