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GaAs基AlGaInP发光二级管亮度提升研究

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文章采用VEECO型MOCVD外延了GaAs基AlGaInP发光二级管,通过外延中各层结构优化来提升亮度.研究表明,采用三个复合中心结构的DBR、最佳NP厚度比、应变结构的MQW、最佳GaP厚度,能更大幅度提升LED的亮度.制备的外延片制作成6mil*6mil尺寸的芯片,采用20mA测得轴向光强为120.6mcd,这与常规结构10mil*10mil的亮度一致.

郑元宇

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厦门市三安光电科技有限公司,福建厦门 361009

AlGaInP 亮度提升 复合DBR 发光二级管 结构优化

2017

10.13535/j.cnki.11-4406/n.2017.01.013

中国高新技术企业
中国统计出版社

中国高新技术企业

影响因子：0.951
ISSN：1009-2374
年,卷(期)：2017.(1)
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