中国高新技术企业2017，Issue(1) ：27-28.DOI:10.13535/j.cnki.11-4406/n.2017.01.013

GaAs基AlGaInP发光二级管亮度提升研究

郑元宇
中国高新技术企业2017，Issue(1) ：27-28.DOI:10.13535/j.cnki.11-4406/n.2017.01.013
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GaAs基AlGaInP发光二级管亮度提升研究

郑元宇1
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  • 1. 厦门市三安光电科技有限公司,福建厦门 361009
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摘要

文章采用VEECO型MOCVD外延了GaAs基AlGaInP发光二级管,通过外延中各层结构优化来提升亮度.研究表明,采用三个复合中心结构的DBR、最佳NP厚度比、应变结构的MQW、最佳GaP厚度,能更大幅度提升LED的亮度.制备的外延片制作成6mil*6mil尺寸的芯片,采用20mA测得轴向光强为120.6mcd,这与常规结构10mil*10mil的亮度一致.

关键词

AlGaInP/亮度提升/复合DBR/发光二级管/结构优化

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出版年

2017
中国高新技术企业
中国统计出版社

中国高新技术企业

影响因子：0.951
ISSN：1009-2374
被引量1
参考文献量1
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