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退火温度对N掺杂ZnO薄膜结构和电学性能的影响

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实验采用射频磁控溅射技术,在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.对制备的ZnO薄膜分别在不同温度下(400℃、500℃、650℃、850℃)进行了真空条件下的退火处理,并对退火条件下的ZnO薄膜进行了结构和电学性能的研究.经研究结果表明:通过退火处理后的ZnO薄膜的生长依然是(002)择优取向,当退火温度高于650℃时实现了ZnO由n型到p型的转变.

赵祥敏、赵文海、孙霄霄、张梅恒、李敏君

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牡丹江师范学院物理与电子工程学院

黑龙江商业职业学院实训中心,黑龙江牡丹江 157011

ZnO薄膜 射频磁控溅射 退火温度 电学性能 退火处理

牡丹江市科学技术计划项目

Z2016g0003

2017

10.13535/j.cnki.11-4406/n.2017.04.034

中国高新技术企业
中国统计出版社

中国高新技术企业

影响因子：0.951
ISSN：1009-2374
年,卷(期)：2017.(4)
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