中国高新技术企业2017，Issue(4) ：66-67.DOI:10.13535/j.cnki.11-4406/n.2017.04.034

退火温度对N掺杂ZnO薄膜结构和电学性能的影响

赵祥敏 赵文海 孙霄霄 张梅恒 李敏君
中国高新技术企业2017，Issue(4) ：66-67.DOI:10.13535/j.cnki.11-4406/n.2017.04.034
✕
  • NETL
  • NSTL
  • 维普
  • 万方数据

退火温度对N掺杂ZnO薄膜结构和电学性能的影响

赵祥敏 1赵文海 2孙霄霄 1张梅恒 1李敏君1
扫码查看

作者信息

  • 1. 牡丹江师范学院物理与电子工程学院
  • 2. 黑龙江商业职业学院实训中心,黑龙江牡丹江 157011
  • 折叠

摘要

实验采用射频磁控溅射技术,在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.对制备的ZnO薄膜分别在不同温度下(400℃、500℃、650℃、850℃)进行了真空条件下的退火处理,并对退火条件下的ZnO薄膜进行了结构和电学性能的研究.经研究结果表明:通过退火处理后的ZnO薄膜的生长依然是(002)择优取向,当退火温度高于650℃时实现了ZnO由n型到p型的转变.

关键词

ZnO薄膜/射频磁控溅射/退火温度/电学性能/退火处理

引用本文复制引用

基金项目

牡丹江市科学技术计划项目(Z2016g0003)

出版年

2017
中国高新技术企业
中国统计出版社

中国高新技术企业

影响因子：0.951
ISSN：1009-2374
参考文献量3
段落导航相关论文