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CCD/EMCCD光电参数测试系统的设计与应用

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本文开发了一种用于测量CCD和EMCCD(电子倍增CCD)芯片光电参数的测试系统.该测试系统通过自动模式或手动模式间的切换,测量器件的暗电流、读出放大器的响应度、电荷转移效率、电荷容量和其他参数.该测试系统可以针对不同规格和结构的CCD/EMCCD器件,实现CCD晶圆或封装好的成品的参数测试,实现 576×288、640×512、768×576、1024×1024、1280×1024 CCD/EMCCD的测试和筛选.
Design and application of CCD/EMCCD photoelectronic parameter test system
A photoelectrical parameters test system for testing CCD and electron-multiplying charge-coupled device(EMCCD)chips is designed.The test system has automatic and manual modes,and it can test the dark currents,the output amplifier's responsivity,charge transfer efficiency,charge capacity and other parameters.According to different specifications and structures of CCD/EMCCD devices,we complete the parameter test of wafer or packaged product.The developed system can be used for the testing and sorting for 576×288,640×512,768×576,1024×1024,1280×1024 CCD and EMCCD chips.

CCDEMCCDtest systemphotoelectrical parameters

沈吉、VIACHESLAV V.Zabudsky、常维静、那启跃、简云飞、OLEG V.Rikhalsky、OLEKSANDR G.Golenkov、VOLODYMYR P.Reva

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华东光电集成器件研究所,江苏苏州 215263

乌克兰科学院V.E.Lashkaryov半导体物理研究所,乌克兰基辅 01001

乌克兰科学院Bogomoletz生理学研究所,乌克兰基辅 01001

CCD EMCCD 测试系统 光电参数

科技创新2030-"新一代人工智能"重大项目

2018AAA0103100

2024

10.37188/CO.EN-2023-0016

中国光学
中国科学院长春光学 精密机械与物理研究所 中国光学学会

中国光学

CSTPCD北大核心
影响因子：2.02
ISSN：2095-1531
年,卷(期)：2024.17(3)
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