多晶硅纳米薄膜具有优良的压阻和温度特性,作为压敏电阻材料能够用于压阻式传感器的制备.为了提高传感器的稳定性并保证长期高效性,需要对多晶硅纳米薄膜压敏电阻进行钝化保护.本文制备了厚度为90nm的多晶硅纳米薄膜,在薄膜样品表面制备了SiO2和Si3N4两种介质薄膜作为钝化膜,钝化膜厚度均为200nm.测量了带有两种介质钝化薄膜的半导体材料的有效少子寿命.实验结果表明,Si3N4的钝化效果由于SiO2的钝化效果.本文对实验结果和钝化机理进行了分析,研究结果可用于多晶硅纳米薄膜压敏电阻的钝化保护,提高传感器的稳定性.
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