浅析影响离子注入晶圆电荷的因素

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中文摘要：离子注入是微电子器件制程工艺中的一种重要的掺杂技术.然而,由于利用离子注入工艺掺入的离子带有电荷,而在注入晶圆后这些电荷会累积在晶圆的表面,大量积累在晶圆表面的电荷,可能通过已经制作在晶圆表面上的电容结构,形成电流,从而造成晶圆的栅极、栅极与半导体间的栅极氧化层的伤害.通过理论分析和多次的试验测试发现,造成晶圆表面累积电荷的因素很多,有电荷中和装置离子淋浴枪发射电子不足的原因,以及静电吸盘电源输出电压不平衡等因素导致.本文针对这些因素进行一定的理论分析和研究.

作者：

林萍、赵官源、郭翠丽、高瑞松、尹进峰

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作者单位：

北京烁科中科信电子装备有限公司

关键词：

离子淋浴枪静电吸盘静电吸盘电源靶室腔体晶圆

出版年：

2024

中国集成电路

中国半导体行业协会

中国集成电路

影响因子：0.144

ISSN：1681-5289

年,卷(期)：2024.33(5)

参考文献量8