浅析影响离子注入晶圆电荷的因素

林萍 ¹赵官源 ¹郭翠丽 ¹高瑞松 ¹尹进峰¹

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1. 北京烁科中科信电子装备有限公司
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摘要

离子注入是微电子器件制程工艺中的一种重要的掺杂技术.然而,由于利用离子注入工艺掺入的离子带有电荷,而在注入晶圆后这些电荷会累积在晶圆的表面,大量积累在晶圆表面的电荷,可能通过已经制作在晶圆表面上的电容结构,形成电流,从而造成晶圆的栅极、栅极与半导体间的栅极氧化层的伤害.通过理论分析和多次的试验测试发现,造成晶圆表面累积电荷的因素很多,有电荷中和装置离子淋浴枪发射电子不足的原因,以及静电吸盘电源输出电压不平衡等因素导致.本文针对这些因素进行一定的理论分析和研究.

关键词

离子淋浴枪/静电吸盘/静电吸盘电源/靶室腔体/晶圆

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出版年

2024

中国集成电路

中国半导体行业协会

中国集成电路

影响因子：0.144

ISSN：1681-5289

参考文献量8

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