氧化物靶材作为显示面板中透明电极、半导体层与绝缘层的关键基础材料备受瞩目,已然成为研究的热点所在.在本文里,借助砂磨、造粒、模压成型、高温烧结等一连串精心设计的制备方法,成功制造出了无铟氧化物靶材.并且,将重点聚焦于ZrO2 掺杂所带来的影响,展开了深入系统的研究.研究结果表明,在无铟氧化物的制备流程中,当把最高烧结温度设为1500℃,同时将烧结时间保持15h,ZrO2 掺杂量精准控制为1.5 wt.%的时,效果很好.在这种条件下,电阻率成功达到最小值,仅为2.0×10-3 Ω·cm,而密度达到6.945 g/cm³.无论是电阻率还是密度,这两个关键的性能指标均处于最佳状态.
NETL
NSTL
万方数据
