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核与空间辐射效应模拟试验技术研究

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在天然与人为辐射环境中,辐射可能在电子器件中引发瞬时电离、单粒子、位移损伤、总剂量等多种辐射效应,导致器件性能退化、功能异常、故障甚至损毁,是制约电子器件及所属系统长期、稳定、可靠工作的关键.核与空间辐射效应模拟试验技术是抗辐射加固的基础,可用于研究辐射效应机理、检验抗辐射加固方法有效性,是提升电子器件和系统抗辐射能力不可或缺的重要手段.本文从瞬时电离辐射效应模拟试验技术、空间单粒子效应模拟试验技术、位移损伤效应模拟试验技术、总剂量效应模拟试验技术四个方面出发,梳理了辐射效应研究和模拟试验装置现状,结合微电子工艺的发展趋势,分析提炼需要重点关注的科学问题与技术问题,为抗辐射加固技术创新发展提供参考.
Simulation test technique for nuclear and space radiation effects

nuclear radiation effectsspace radiation effectssimulation test techniqueequipments for radiation environment simulation

陈伟、罗尹虹、马武英、王晨辉、丁李利、王祖军、刘岩、梅博、姚崇斌、曾超、郭晓强、王忠明、吴伟

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强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室,西安710024

西北核技术研究所,西安710024

中国空间技术研究院,北京100029

上海航天电子技术研究所,上海201108

中国工程物理研究院电子工程研究所,绵阳621999

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核辐射效应 空间辐射效应 模拟试验技术 辐射模拟装置

国家自然科学基金

11690040

2023

10.1360/SSPMA-2022-0495

中国科学(物理学 力学 天文学)
中国科学院

中国科学(物理学 力学 天文学)

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.644
ISSN：1674-7275
年,卷(期)：2023.(7)
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