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GaN基半导体中载流子的自旋注入、弛豫及调控

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GaN基半导体材料由于其电场可控的自旋轨道耦合以及高于室温的居里温度,在半导体自旋电子学领域引起了广泛的关注.载流子的自旋注入、弛豫和调控是发展半导体自旋电子器件的关键问题.本文回顾了基于时间分辨克尔光谱和平面自旋阀电学测量对GaN基半导体中载流子的自旋注入、弛豫和调控的研究进展.对GaN基半导体的精细能带结构、自旋轨道耦合、自旋弛豫机制及自旋调控等进行了讨论,总结了GaN基半导体自旋电子器件的研究现状并提出展望.
Spin injection,relaxation,and manipulation of carriers in GaN-based semiconductors

GaN-based semiconductorspin-orbit couplingspin relaxation

张仕雄、唐宁、孙真昊、陈帅宇、沈波

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北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871

GaN基半导体 自旋轨道耦合 自旋弛豫

国家重点研发计划国家重点研发计划国家自然科学基金国家自然科学基金

2022YFB36056002018YFE01257006222540261927806

2023

10.1360/SSPMA-2022-0430

中国科学(物理学 力学 天文学)
中国科学院

中国科学(物理学 力学 天文学)

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.644
ISSN：1674-7275
年,卷(期)：2023.53(10)
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