摘要
铪基氧化物(Hf(Zr)O2)因其优异的铁电性质而成为计算机存储等应用中备受青睐的材料.然而,化学计量比的铪基氧化物基态是非铁电的单斜相.在密度泛函理论计算中,我们发现插入铪或锆原子将随着插入浓度的增加,将Hf(Zr)O2的基态从单斜相转变为三方相.声子色散和态密度投影揭示了插入的Hf(Zr)原子消除了已有的非等效Hf(Zr)原子之间的竞争,从而稳定了r相.此外,Hf/Zr插层原子的有序分布进一步降低了形成能和铁电转换势垒,导致高耐久性和超低的矫顽场.能带结构显示,Hf/Zr插层原子引起的局域平带对漏电流的贡献最小.最后,我们证明了 ZrO2对于形成非化学计量比的Hf(Zr)1+xO2至关重要.