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Mini LED芯片蓝宝石衬底抛光后翘曲工艺研究

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随着LED在高清显示屏上的使用,Mini LED随之出现,芯片尺寸小,芯片厚度也进一步要求变薄,减薄后的厚度为50~60μm,随之而来的翘曲问题成为制造过程中的难点问题,本工艺研究通过调整粗抛工艺金刚石抛光液颗粒度,搭配CMP工艺压力,时间的调整,试验结果显示:粗抛工艺金刚石抛光液颗粒度为3μm,CMP工艺参数,压力50 kg,下盘转速50 r/min时间15~20 min,效果最佳.
Research on Polishing Technology of Mini LED Chip Sapphire Substrate
With the use of LED in HD display,Mini LED appears,the chip size is small,and the chip thickness is further required to be thinner,the thickness after thinning is 50~60 μm,and the ensuing warping problem becomes a difficult problem in manufacturing.This process study by adjusting the diamond polishing liquid particle size of rough polishing process and matching CMP process pressure.The test results show that the coarse polishing process diamond polishing liquid particle size is 3 μm,CMP process parameters,pressure 50 kg,footwall speed 50 r/min time 15~20 min,the best effect.

50~60 μmthicknesswarpingdiamond slurryparameter

刘佑芝

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佛山市国星半导体技术有限公司,广东 佛山528000

50~60 μm 厚度 翘曲 金刚石抛光液 工艺参数

2024

中国照明电器
中国照明电器协会 国家轻工业照明电器信息中心 北京电光源研究所

中国照明电器

影响因子:0.271
ISSN:1002-6150
年,卷(期):2024.(11)